采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ358-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.9nC@10V
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ358-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.9nC@10V
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
连续漏极电流：4A
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：850pF@30V
栅极电荷：17.3nC@10V
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
导通电阻：89mΩ@4A，10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ358-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.9nC@10V
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ358-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.9nC@10V
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V，2.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106GTA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：5Ω@10V，500mA
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：100pF@18V
功率：2W
阈值电压：3.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106GTA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：5Ω@10V，500mA
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：100pF@18V
功率：2W
阈值电压：3.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
