销售单位:个
规格型号(MPN):AO4892
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP161A1265PR-G
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5005,"23+":4172,"MI+":1351}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD4N03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N67NU,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:39.1mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K376R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP161A1355PR
功率:2W
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4L040ATTCR
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:850pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:89mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP161A1265PR-G
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14621}
包装规格(MPQ):606psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2857-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:散装
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:150mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4L040ATTCR
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:850pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:89mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4892
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4892
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N67NU,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:39.1mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRS040P03FRATB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP161A1355PR
功率:2W
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DNF60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4N03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4N03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: