采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP161A1265PR-G
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5005，"23+"：4172，"MI+"：1351}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N67NU，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：39.1mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP161A1265PR-G
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N67NU，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：39.1mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6MA2TCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V€305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6MA2TCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V€305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
