采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4842
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
类型：2N沟道（双）
ECCN：EAR99
功率：2W
输入电容：448pF@15V
阈值电压：2.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7103TRPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
漏源电压：50V
连续漏极电流：3A
输入电容：290pF@25V
导通电阻：130mΩ@3A，10V
栅极电荷：30nC@10V
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO615NGXUMA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
导通电阻：150mΩ@2.6A，4.5V
ECCN：EAR99
输入电容：380pF@25V
阈值电压：2V@20µA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4840
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：30mΩ@6A，10V
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
输入电容：650pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
输入电容：725pF@15V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：6.9A
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：740pF@25V
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
连续漏极电流：4.7A
漏源电压：55V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4838
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
输入电容：1300pF@15V
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
ECCN：EAR99
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4842
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：7.7A
类型：N-Channel
导通电阻：21mΩ@10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
输入电容：955pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：6A
导通电阻：29mΩ@6A，10V
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL6372TRPBF
连续漏极电流：8.1A
导通电阻：17.9mΩ@8.1A，4.5V
输入电容：1020pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.1V@10µA
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
连续漏极电流：4.7A
漏源电压：55V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
类型：2N沟道（双）
功率：2W
输入电容：740pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO9926B
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：7.6A
导通电阻：23mΩ@7.6A，10V
输入电容：630pF@15V
功率：2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSD-13
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
输入电容：725pF@15V
类型：2N沟道（双）
功率：2W
连续漏极电流：6.9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8910TRPBF
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
栅极电荷：11nC@4.5V
漏源电压：20V
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
阈值电压：2.55V@250µA
功率：2W
输入电容：960pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：48000}
规格型号(MPN)：IRF7103TRPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：3A
输入电容：290pF@25V
导通电阻：130mΩ@3A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7303TRPBF
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：50mΩ@2.4A，10V
功率：2W
输入电容：520pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8949
输入电容：955pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：6A
导通电阻：29mΩ@6A，10V
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7907TRPBF
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：9.1A€11A
输入电容：850pF@15V
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
导通电阻：16.4mΩ@9.1A，10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7103TRPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
漏源电压：50V
连续漏极电流：3A
输入电容：290pF@25V
导通电阻：130mΩ@3A，10V
栅极电荷：30nC@10V
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO9926C
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：7.6A
导通电阻：23mΩ@7.6A，10V
输入电容：630pF@15V
功率：2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：3187}
规格型号(MPN)：IRL6372TRPBF
连续漏极电流：8.1A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17.9mΩ@8.1A，4.5V
输入电容：1020pF@25V
阈值电压：1.1V@10µA
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4A，10V
类型：2N沟道（双）
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
输入电容：400pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：190，"23+"：18297，"MI+"：1797}
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4A，10V
类型：2N沟道（双）
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
输入电容：400pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8910TRPBF
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
栅极电荷：11nC@4.5V
漏源电压：20V
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
阈值电压：2.55V@250µA
功率：2W
输入电容：960pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4A，10V
类型：2N沟道（双）
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
输入电容：400pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6K3TCR
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：5.5A
功率：2W
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO9926B
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：7.6A
导通电阻：23mΩ@7.6A，10V
输入电容：630pF@15V
功率：2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
