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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2398ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1926pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD609
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8313TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：46.3A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD603A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：3.5A€3A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@30V
连续漏极电流：5.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2245
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2241
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2398ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD609
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@30V
连续漏极电流：5.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD609
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD609
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD609
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
