采购热线 400-661-9010
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN7612HDT1WG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.95nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@50V
导通电阻：8.5mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G08N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：979pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R.LF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@0.1mA
栅极电荷：1.7nC@4.5V
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@15V
导通电阻：67Ω@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R.LF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@0.1mA
栅极电荷：1.7nC@4.5V
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@15V
导通电阻：67Ω@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN7612HDT1WG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.95nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@50V
导通电阻：8.5mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN7612HDT1WG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.95nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@50V
导通电阻：8.5mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G08N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：979pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN7612HDT1WG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.95nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@50V
导通电阻：8.5mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3N40TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.7pF@25V
导通电阻：2.8mΩ@10V，1A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL606SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.3V@15μA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6068SEQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@10V，4.4A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R.LF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@0.1mA
栅极电荷：1.7nC@4.5V
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@15V
导通电阻：67Ω@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G08N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：979pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，2.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL606SNH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
栅极电荷：5.6nC@5V
漏源电压：60V
输入电容：657pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@15μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4.5A
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
导通电阻：10Ω@5V，250mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：320mA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：85pF@25V
类型：1个N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：2W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
