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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM9435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：845pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF@15V
导通电阻：51mΩ@10V，5.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：130mΩ@10V，3A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：130mΩ@10V，3A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM305ND TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM9435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：845pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF@15V
导通电阻：51mΩ@10V，5.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM9435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：845pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF@15V
导通电阻：51mΩ@10V，5.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM9435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：845pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF@15V
导通电阻：51mΩ@10V，5.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM9435
漏源电压：30V
导通电阻：51mΩ@10V，5.3A
输入电容：845pF@15V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：5.3A
反向传输电容：80pF@15V
栅极电荷：22nC@10V
类型：1个P沟道
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM305ND TR13 PBFREE
栅极电荷：6.3nC@5V
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：560pF@10V
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
导通电阻：30mΩ@2.9A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM9435
漏源电压：30V
导通电阻：51mΩ@10V，5.3A
输入电容：845pF@15V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：5.3A
反向传输电容：80pF@15V
栅极电荷：22nC@10V
类型：1个P沟道
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6068SEQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：330pF@15V
连续漏极电流：3.5A€2.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，2.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
