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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H015SK3-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30.1nC@10V
输入电容：2.343nF@50V
连续漏极电流：59A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2398ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2398ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：3.4nC@10V
输入电容：152pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V，2.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
