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    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6250SFDF-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6250SFDF-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6250SFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:612pF@20V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06TL 起订1500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06TL 起订1500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF015N06TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06TL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06TL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF015N06TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF015N06TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF015N06TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06FRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06FRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF015N06FRATL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615TU,LF 起订9000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615TU,LF 起订9000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订46个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订46个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF015N06TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF015N06TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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