品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2037-6/TR
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:61mΩ@4.5V,3.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2015-3/TR
功率:800mW
阈值电压:810mV@250μA
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5V,2.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2015-3/TR
功率:800mW
阈值电压:810mV@250μA
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5V,2.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2037-6/TR
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:61mΩ@4.5V,3.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2015-3/TR
功率:800mW
阈值电压:810mV@250μA
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5V,2.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: