采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSF014N03TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF025N03FRATL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3069L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：8.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：309pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1435-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：89mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：284431，"11+"：2622，"12+"：12500，"16+"：144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF025N03FRATL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4150，"21+"：4045}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS7N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF025N03FRATL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：19995}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF025N03FRATL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：284431，"11+"：2622，"12+"：12500，"16+"：144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF025N03FRATL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF025N03FRATL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF025N03FRATL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3069L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：309pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSF014N03TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3069L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：309pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF025N03TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF025N03TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSF014N03TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSF014N03TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF025N03TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
