品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSF010P05TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:460mΩ@1A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF010P02TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF015P02TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1045U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1357pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1045U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1357pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RAF040P01TCL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT200EPEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:822pF@35V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:167mΩ@2.4A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3401LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1326pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RAF040P01TCL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3165LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:216pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:216pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":45000,"14+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1335-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3165LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1045U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1357pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1602
销售单位:个
规格型号(MPN):RAF040P01TCL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3165L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2040USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:19nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:834pF@10V
连续漏极电流:7A€15A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: