采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：53281，"16+"：30000，"18+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6603-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.4pF@10V
连续漏极电流：140mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23Ω@40mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6603-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.4pF@10V
连续漏极电流：140mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23Ω@40mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1175}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：53281，"16+"：30000，"18+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6603-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.4pF@10V
连续漏极电流：140mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23Ω@40mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6605-TL-E
工作温度：150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.2pF@10V
连续漏极电流：140mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22Ω@40mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：1175}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
类型：2个P沟道（双）
输入电容：195pF@10V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1027P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1027P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1027P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1027P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1027P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1175}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
