采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3900AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@13V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：27200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6602-TL-E
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6602-TL-E
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3900AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：890pF@13V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3900AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@13V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：27200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6602-TL-E
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
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连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
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输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6602-TL-E
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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