品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW16N50C3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:3.9V@675μA
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,10A
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6012JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:7V@2.5mA
栅极电荷:28nC@15V
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@6A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW16N50C3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:3.9V@675μA
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,10A
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1700}
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP50NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1700}
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:122nC@10V
输入电容:6.512nF@30V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
反向传输电容:310pF@30V
导通电阻:5.1mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G60N10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:146nC@10V
输入电容:3.97nF@50V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:160pF@50V
导通电阻:14mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:122nC@10V
输入电容:6.512nF@30V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
反向传输电容:310pF@30V
导通电阻:5.1mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: