采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：19A€156A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6284G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6284G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6284G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：19A€156A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6284G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6284G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：19A€156A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6284G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
工作温度：65℃~150℃
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
集电极电流(Ic)：20A
集射极击穿电压(Vceo)：100V
特征频率：4MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQP47P06
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：3600pF@25V
功率：160W
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：20A
功率：160W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
