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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：散装
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6005LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLD024PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLD024PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD024PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：散装
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：散装
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6005LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD024PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1812
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
