首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    功率
    行业应用
    晶体管类型
    集电极电流(Ic)
    特征频率
    集射极击穿电压(Vceo)
    集电集截止电流(Icbo)
    功率: 1.3W
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:2700+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047SSD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047SSD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4047SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1154pF@20V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SPSQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SPSQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:47.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT15H017LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3369pF@75V

    连续漏极电流:9.4A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订17个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订17个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0040TRPBF 起订14个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0040TRPBF 起订14个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML0040TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3016LNS-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3016LNS-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3016LNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1184pF@15V€1188pF@15V

    连续漏极电流:9A€6.8A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD014PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD014PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN3145N8-G 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN3145N8-G 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN3145N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:60Ω@100mA,0V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UTSQ-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UTSQ-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2021UTSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:59nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@15V

    连续漏极电流:7.4A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订99个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订99个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3481C 起订43个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3481C 起订43个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3481C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.7V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:70pF@15V

    导通电阻:37mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3085LSS-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3085LSS-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3085LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:563pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD110PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD110PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLD110PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@600mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD120PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D1UVT-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D1UVT-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@10V

    连续漏极电流:500mA€3.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V€12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6244TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@16V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3480C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:60pF@15V

    导通电阻:16mΩ@10V,6.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2640LG-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SPS-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SPS-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4015SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:47.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T3G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T3G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF3055L108T3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6401TRPBF 起订31个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6401TRPBF 起订31个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6401TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:830pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML9301TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML9301TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML9301TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.4V@10µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:388pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6005LSS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6005LSS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6005LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:47.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2962pF@30V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD014PBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD014PBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLD014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订31个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订31个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2030TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@25µA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧