采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：1.3W
连续漏极电流：14A€80A
输入电容：2085pF@50V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：1.3W
连续漏极电流：14A€80A
输入电容：2085pF@50V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，1.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
