采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UTSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：7.4A€18A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32136C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6244TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@16V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9433BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：81000，"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8656-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9433BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@5µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@16V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2244TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32136C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2244TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2244TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2244TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
