品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,1.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:8.4nC@5V
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@5V,1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: