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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：575pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD4NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：575pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
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规格型号(MPN)：STD4NK80ZT4
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功率：80W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22.5nC@10V
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输入电容：575pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
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栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：500pF@25V
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类型：1个N沟道
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阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22.5nC@10V
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输入电容：575pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.5A，10V
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栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
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连续漏极电流：3A
类型：N沟道
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连续漏极电流：3A
功率：80W
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包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
功率：80W
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类型：1个N沟道
阈值电压：4V@300μA
漏源电压：800V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：3A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD4NK80ZT4
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类型：N沟道
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连续漏极电流：3A
功率：80W
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输入电容：575pF@25V
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工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
连续漏极电流：3A
功率：80W
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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品牌：ST
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK80ZT4
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
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栅极电荷：22.5nC@10V
输入电容：575pF@25V
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