销售单位：个

规格型号(MPN)：TK10P60W，RVQ

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：3.7V@500µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：700pF@300V

连续漏极电流：9.7A

类型：N沟道

导通电阻：430mΩ@4.9A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK10P60W，RVQ

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：3.7V@500µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：700pF@300V

连续漏极电流：9.7A

类型：N沟道

导通电阻：430mΩ@4.9A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：4V@200µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：500pF@25V

连续漏极电流：2A

类型：N沟道

导通电阻：5.9Ω@1A，10V

漏源电压：900V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK10P60W，RVQ

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：3.7V@500µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：700pF@300V

连续漏极电流：9.7A

类型：N沟道

导通电阻：430mΩ@4.9A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW93C

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW93C

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FJB102TM

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：4V@200µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：500pF@25V

连续漏极电流：2A

类型：N沟道

导通电阻：5.9Ω@1A，10V

漏源电压：900V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW94CFTU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTA4N70X2

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：11.8nC@10V

包装方式：管件

输入电容：386pF@25V

连续漏极电流：4A

类型：N沟道

导通电阻：850mΩ@2A，10V

漏源电压：700V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FJB102TM

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：4V@200µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：500pF@25V

连续漏极电流：2A

类型：N沟道

导通电阻：5.9Ω@1A，10V

漏源电压：900V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK380P65Y，RQ

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：4V@360µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：590pF@300V

连续漏极电流：9.7A

类型：N沟道

导通电阻：380mΩ@4.9A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FJB102TM

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FJB102TM

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147TU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142T

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：70psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTU4N70X2

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：11.8nC@10V

包装方式：管件

输入电容：386pF@25V

连续漏极电流：4A

类型：N沟道

导通电阻：850mΩ@2A，10V

漏源电压：700V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK380P65Y，RQ

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：4V@360µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：590pF@300V

连续漏极电流：9.7A

类型：N沟道

导通电阻：380mΩ@4.9A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：4.5V@400µA

栅极电荷：22nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：590pF@300V

连续漏极电流：8A

类型：N沟道

导通电阻：560mΩ@4A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：4V@200µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：500pF@25V

连续漏极电流：2A

类型：N沟道

导通电阻：5.9Ω@1A，10V

漏源电压：900V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW93C

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK10P60W，RVQ

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：3.7V@500µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：700pF@300V

连续漏极电流：9.7A

类型：N沟道

导通电阻：430mΩ@4.9A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：70psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTU4N70X2

工作温度：150℃

功率：80W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：11.8nC@10V

包装方式：管件

输入电容：386pF@25V

连续漏极电流：4A

类型：N沟道

导通电阻：850mΩ@2A，10V

漏源电压：700V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW93C

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW94CFTU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147TU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW94CFTU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142T

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142T

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1