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销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"16+"：10080，"21+"：88260}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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分类：数字晶体管
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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ECCN：EAR99
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"05+"：15000，"06+"：99000，"12+"：108000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：36000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：27000，"07+"：1475，"08+"：21000，"10+"：2000，"11+"：54000，"15+"：36000，"17+"：186300，"18+"：69000，"19+"：73500，"20+"：27000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"13+"：30000，"15+"：6000，"16+"：6000，"18+"：9000，"21+"：6000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
