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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

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    栅极电荷:12.8nC@4.5V

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    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

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    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

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    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

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    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

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    输入电容:840pF@10V

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    漏源电压:20V

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    库存:

    - +
    起购:13
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

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    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

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    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

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    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    漏源电压:20V

    输入电容:840pF@10V

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    漏源电压:20V

    输入电容:840pF@10V

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    功率:1.5W

    类型:2个P沟道(双)

    漏源电压:20V

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6321-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6321-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2990}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6321-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:83mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8672-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8672-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8672-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
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