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    功率: 1.5W
    行业应用: 工业
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 20V
    类型: P沟道
    当前匹配商品:60+
    商品信息
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

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    类型:P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

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    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

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    库存:

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    起购:13
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

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    ECCN:EAR99

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

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    库存:

    - +
    起购:13
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

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    功率:1.5W

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    ECCN:EAR99

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

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    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

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    漏源电压:20V

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    库存:

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    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

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    ECCN:EAR99

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    库存:

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    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

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    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

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    漏源电压:20V

    输入电容:840pF@10V

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

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    漏源电压:20V

    输入电容:840pF@10V

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6321-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6321-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2990}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6321-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

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    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:83mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6337-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6337-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":610591,"15+":3000,"18+":27000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6337-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6337-TL-E
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6337-TL-E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":1192,"13+":3000,"14+":10166,"17+":370,"9999":1188}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6337-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4421DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:800mV@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.75mΩ@14A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD25201W15
    TI Mosfet场效应管 CSD25201W15

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1086}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25201W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1069
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 EMH1307-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 EMH1307-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH1307-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2290
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