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销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：1.5W
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1.5W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：120MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@5mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：1610
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：1.5W
晶体管类型：NPN
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：1.5W
晶体管类型：NPN
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规格型号(MPN)：ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
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集电集截止电流(Icbo)：10µA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@5mA，2A
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
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规格型号(MPN)：BSP 52 E6327
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：1A
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集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：200MHz
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@1mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
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规格型号(MPN)：BSP 52 E6327
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
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规格型号(MPN)：ZXTN04120HFFTA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
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规格型号(MPN)：ZXTN04120HFFTA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV
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集电极电流(Ic)：1A
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：1.5W
晶体管类型：NPN
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集电极电流(Ic)：1A
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集电极电流(Ic)：1A
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集射极击穿电压(Vceo)：60V
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规格型号(MPN)：ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@5mA，2A
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
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工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：1.5W
晶体管类型：NPN
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工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
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晶体管类型：NPN
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工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：1.5W
晶体管类型：NPN
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库存：
生产批次：1610
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
输入电阻：2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：1.5W
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1.5W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：120MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@5mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：1610
销售单位：个
输入电阻：2.2KΩ
集电极电流(Ic)：1A
特征频率：80MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV
工作温度：-55℃~150℃
晶体管类型：NPN
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP 52 E6327
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@1mA，1A
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电集截止电流(Icbo)：10µA
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1A
工作温度：150℃
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXTN04120HFFTA
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@5mA，2A
特征频率：120MHz
功率：1.5W
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2KΩ
集电极电流(Ic)：1A
特征频率：80MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV
工作温度：-55℃~150℃
晶体管类型：NPN
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
