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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2057}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6431-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7820DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS5838NLR2G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS5838NLR2G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":15038}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS5838NLR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@20V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8419-TL-H 起订1145个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8419-TL-H 起订1145个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":87000,"14+":5980}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8419-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@20V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@5A,10V

    漏源电压:35V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4982NFT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4982NFT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4982NFT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:26.5A€207A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4464DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4464DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4464DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FQTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FQTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A14FQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH108DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH108DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS5838NLR2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS5838NLR2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":15038}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS5838NLR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@20V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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