品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
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导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: