品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":122404,"14+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2810T1L-E2-AY
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.86nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":122404,"14+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2810T1L-E2-AY
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.86nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":122404,"14+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2810T1L-E2-AY
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.86nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":122404,"14+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2810T1L-E2-AY
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.86nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":122404,"14+":48000}
规格型号(MPN):UPA2810T1L-E2-AY
漏源电压:30V
功率:1.5W
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:13A
输入电容:1.86nF@10V
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8310-TL-H
功率:1.5W
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:17mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8310-TL-H
功率:1.5W
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:17mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
连续漏极电流:7.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@10V,11.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
连续漏极电流:7.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@10V,11.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
连续漏极电流:7.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@10V,11.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
连续漏极电流:7.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@10V,11.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:70nC@4.5V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: