采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMMBTA13LT1
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100μA，100mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"07+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMMBTA13LT1
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100μA，100mA
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LBSS84LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：38pF@15V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：2.7pF@15V
导通电阻：1.8Ω@10V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LBSS84LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：38pF@15V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：2.7pF@15V
导通电阻：1.8Ω@10V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：5Ω@10V，0.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.77nC@10V
输入电容：43pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：2.8pF@30V
导通电阻：8Ω@10V，0.17A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：5Ω@10V，0.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
反向传输电容：0.8pF@15V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
输入电容：4pF@15V
ECCN：EAR99
功率：225mW
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
反向传输电容：0.8pF@15V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
输入电容：4pF@15V
ECCN：EAR99
功率：225mW
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：5Ω@10V，0.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.77nC@10V
输入电容：43pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：2.8pF@30V
导通电阻：8Ω@10V，0.17A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.77nC@10V
输入电容：43pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：2.8pF@30V
导通电阻：8Ω@10V，0.17A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：5Ω@10V，0.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：5Ω@10V，0.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
