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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
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晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：62307}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：30000，"19+"：60000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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