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    直流增益(hFE@Ic,Vce)
    输入电阻
    晶体管类型
    功率: 250mW
    行业应用: 工业
    直流增益(hFE@Ic,Vce): 100@1mA,5V
    输入电阻: 100kΩ
    晶体管类型: PNP-预偏压
    当前匹配商品:5
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    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TMB,315 起订13514个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TMB,315 起订13514个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"19+":79760}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:180MHz

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TM,315 起订14286个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TM,315 起订14286个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"19+":79997}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TT,215 起订15823个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TT,215 起订15823个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"18+":90000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TM,315 起订14286个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TM,315 起订14286个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"19+":79997}

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    输入电阻:100kΩ

    ECCN:EAR99

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@250µA,5mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TMB,315 起订13514个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TMB,315 起订13514个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"19+":79760}

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    特征频率:180MHz

    输入电阻:100kΩ

    ECCN:EAR99

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@250µA,5mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

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