采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：900pC@4.5V
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：900pC@4.5V
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002KN3T5G
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002KN3T5G
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002KN3T5G
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002KN3T5G
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：900pC@4.5V
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：900pC@4.5V
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：900pC@4.5V
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：900pC@4.5V
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：900pC@4.5V
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：600pC@4.5V
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
