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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：6000，"09+"：3000}
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ECCN：EAR99
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功率：250mW
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生产批次：{"14+"：5689，"16+"：36000}
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：68900，"07+"：219000，"15+"：3900，"19+"：2579，"21+"：57000，"22+"：15000}
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
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