采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：2.6V @ 1mA
栅极电荷：4 nC @ 10 V
输入电容：186 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：104 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：455050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23201W10
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325 pF @ 6 V
连续漏极电流：2.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：82 毫欧 @ 500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：800mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：4V @ 2mA
输入电容：150 pF @ 25 V
连续漏极电流：160mA（Tj）
类型：N 通道
导通电阻：20 欧姆 @ 100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：6 nC @ 10 V
输入电容：250 pF @ 15 V
连续漏极电流：3.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1439-TL-W
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：2.6V @ 1mA
栅极电荷：5.6 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：72 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1439-TL-W
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：2.6V @ 1mA
栅极电荷：5.6 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：72 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1439-TL-W
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：2.6V @ 1mA
栅极电荷：5.6 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：72 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：800mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：800mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：800mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：4V @ 2mA
输入电容：150 pF @ 25 V
连续漏极电流：160mA（Tj）
类型：N 通道
导通电阻：20 欧姆 @ 100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1030 pF @ 10 V
类型：P 通道
功率：1W（Ta）
工作温度：150°C（TJ）
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
