品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:12.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU9010PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@2.8A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3D+":39000,"3E+":149485}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0397DPA-00#J53
功率:25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@4.5V
输入电容:1.11nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":261}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2933-E
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB02N60S5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":20}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF9135LR5
功率:25W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3H+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03M7DPA-00#J5A
功率:25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
输入电容:1.12nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2A+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0355DPA-01#J0B
功率:25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R1K2P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3L+":9000,"4A+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03B9DPA-00#J53
功率:25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@4.5V
输入电容:1.11nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4C+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03B9DPA-00#J5A
功率:25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@4.5V
输入电容:1.11nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2A+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0355DPA-01#J0B
功率:25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2A+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0355DPA-01#J0B
功率:25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:12.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8K22TB
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@15V
连续漏极电流:27A€57A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:12.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":870,"16+":12500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD02N60S5BTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":870,"16+":12500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD02N60S5BTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BLP9LA25SZ
功率:25W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU9010PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@2.8A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":1000,"08+":500,"10+":1000,"12+":9000,"14+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB02N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:3.9V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: