销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13.5nC@10V
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13.5nC@10V
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,900mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:395pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF4N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.5pF@25V
导通电阻:2Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):46psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFH13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:791pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:395pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF4N65
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
功率:25W
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250μA
输入电容:545pF@25V
反向传输电容:4.5pF@25V
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:2Ω@10V,2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13.8nC@10V
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:28.6pF@25V
导通电阻:540mΩ@10V,2.1A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13.8nC@10V
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:28.6pF@25V
导通电阻:540mΩ@10V,2.1A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13.8nC@10V
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:28.6pF@25V
导通电阻:540mΩ@10V,2.1A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,900mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF4N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.5pF@25V
导通电阻:2Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M2
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,6.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF4N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.5pF@25V
导通电阻:2Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF4N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.5pF@25V
导通电阻:2Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13.8nC@10V
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:28.6pF@25V
导通电阻:540mΩ@10V,2.1A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: