采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF4N62K3
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STF4N62K3
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
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规格型号(MPN)：STF12N65M5
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功率：25W
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包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STF12N65M5
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功率：25W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
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规格型号(MPN)：STF8NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
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包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF4N62K3
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包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
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规格型号(MPN)：STF8NM60ND
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功率：25W
阈值电压：5V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
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功率：25W
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包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：STF12N65M5
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功率：25W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFI4N62K3
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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规格型号(MPN)：STF4N62K3
工作温度：150℃
漏源电压：620V
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
输入电容：550pF@50V
功率：25W
连续漏极电流：3.8A
包装方式：管件
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
栅极电荷：22nC@10V
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NM60ND
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功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
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包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
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漏源电压：650V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFI4N62K3
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
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