采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF100N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF100N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF100N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF100N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF100N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
导通电阻：90mΩ@6A，10V
输入电容：500pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：25W
包装方式：管件
栅极电荷：9.3nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
导通电阻：90mΩ@6A，10V
输入电容：500pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：25W
包装方式：管件
栅极电荷：9.3nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF100N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF100N6F7
输入电容：1980pF@25V
导通电阻：5.6mΩ@23A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：25W
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
连续漏极电流：46A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF100N6F7
输入电容：1980pF@25V
导通电阻：5.6mΩ@23A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：25W
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
连续漏极电流：46A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
