采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF7LN80K5
导通电阻：1.15Ω@2.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
功率：25W
栅极电荷：12nC@10V
阈值电压：5V@100µA
输入电容：270pF@100V
包装方式：管件
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
功率：25W
漏源电压：650V
导通电阻：330mΩ@6A，10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP3NK90ZFP
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
栅极电荷：22.7nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：590pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
功率：25W
连续漏极电流：3A
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
导通电阻：90mΩ@6A，10V
输入电容：500pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：25W
包装方式：管件
栅极电荷：9.3nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF14NM50N
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
功率：25W
阈值电压：4V@100µA
导通电阻：320mΩ@6A，10V
输入电容：816pF@50V
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：26925}
规格型号(MPN)：SPS02N60C3BKMA1
阈值电压：3.9V@80µA
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：200pF@25V
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
类型：N沟道
功率：25W
连续漏极电流：1.8A
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
导通电阻：90mΩ@6A，10V
输入电容：500pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：25W
包装方式：管件
栅极电荷：9.3nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP4NK80ZFP
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
功率：25W
连续漏极电流：3A
包装方式：管件
栅极电荷：22.5nC@10V
输入电容：575pF@25V
漏源电压：800V
导通电阻：3.5Ω@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFR010PBF
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
连续漏极电流：8.2A
功率：25W
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
输入电容：250pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：26925}
规格型号(MPN)：SPS02N60C3BKMA1
阈值电压：3.9V@80µA
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：200pF@25V
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
类型：N沟道
功率：25W
连续漏极电流：1.8A
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF3NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1.25A，10V
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：19nC@10V
功率：25W
包装方式：管件
漏源电压：800V
连续漏极电流：2.5A
输入电容：485pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFU110PBF
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：8.3nC@10V
功率：25W
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
功率：25W
漏源电压：650V
导通电阻：330mΩ@6A，10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF13NM60N
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
功率：25W
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
栅极电荷：30nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5NK52ZD
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
功率：25W
输入电容：529pF@25V
栅极电荷：16.9nC@10V
包装方式：管件
漏源电压：520V
连续漏极电流：4.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5NK52ZD
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
功率：25W
输入电容：529pF@25V
栅极电荷：16.9nC@10V
包装方式：管件
漏源电压：520V
连续漏极电流：4.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFU110PBF
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：8.3nC@10V
功率：25W
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：25W
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
栅极电荷：21.5nC@10V
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP3NK90ZFP
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
栅极电荷：22.7nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：590pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
功率：25W
连续漏极电流：3A
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：25W
漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
包装方式：管件
导通电阻：500mΩ@4A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：535pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5V@100µA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU110PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK80ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：575pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
