品牌:RENESAS
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"14+":63000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):50@50mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":69067}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1958-T1-A
功率:150mW
阈值电压:1.1V@10μA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:10pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":69067}
规格型号(MPN):2SK1958-T1-A
功率:150mW
输入电容:10pF@3V
漏源电压:16V
类型:1个N沟道
导通电阻:12Ω@10mA,4V
连续漏极电流:100mA
阈值电压:1.1V@10μA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":180000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):95@50mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":69067}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1958-T1-A
功率:150mW
阈值电压:1.1V@10μA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:10pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:16V
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库存:
品牌:RENESAS
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"16+":11455}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):135@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"14+":63000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):50@50mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
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库存:
品牌:RENESAS
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"16+":11455}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):135@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
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功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":137415}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):95@50mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1958-T1-A
功率:150mW
阈值电压:1.1V@10μA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:10pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":180000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):95@50mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":137415}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):95@50mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存: