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    直流增益(hFE@Ic,Vce)
    品牌: RENESAS
    功率: 150mW
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    RENESAS 数字晶体管 GA4F3M(0)-T1-A 起订5000个装
    RENESAS 数字晶体管 GA4F3M(0)-T1-A 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"14+":63000}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):50@50mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK1958-T1-A 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK1958-T1-A 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":69067}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK1958-T1-A

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@10μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:10pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12Ω@10mA,4V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK1958-T1-A 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK1958-T1-A 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":69067}

    规格型号(MPN):2SK1958-T1-A

    功率:150mW

    输入电容:10pF@3V

    漏源电压:16V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12Ω@10mA,4V

    连续漏极电流:100mA

    阈值电压:1.1V@10μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS 数字晶体管 GN1L4M-T2-A 起订5000个装
    RENESAS 数字晶体管 GN1L4M-T2-A 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"17+":180000}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):95@50mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK1958-T1-A 起订2254个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK1958-T1-A 起订2254个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":69067}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK1958-T1-A

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@10μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:10pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12Ω@10mA,4V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS 数字晶体管 GA1A4Z-T1-A 起订5000个装
    RENESAS 数字晶体管 GA1A4Z-T1-A 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"16+":11455}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):135@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS 数字晶体管 GA4F3M(0)-T1-A 起订1805个装
    RENESAS 数字晶体管 GA4F3M(0)-T1-A 起订1805个装

    品牌:RENESAS

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"14+":63000}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):50@50mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS 数字晶体管 GA1A4Z-T1-A 起订1375个装
    RENESAS 数字晶体管 GA1A4Z-T1-A 起订1375个装

    品牌:RENESAS

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"16+":11455}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):135@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS 数字晶体管 GA1L4M-T2-A 起订5000个装
    RENESAS 数字晶体管 GA1L4M-T2-A 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"17+":137415}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):95@50mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK1958-T1-A 起订4459个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK1958-T1-A 起订4459个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK1958-T1-A

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@10μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:10pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12Ω@10mA,4V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS 数字晶体管 GN1L4M-T2-A 起订3206个装
    RENESAS 数字晶体管 GN1L4M-T2-A 起订3206个装

    品牌:RENESAS

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"17+":180000}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):95@50mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS 数字晶体管 GA1L4M-T2-A 起订3206个装
    RENESAS 数字晶体管 GA1L4M-T2-A 起订3206个装

    品牌:RENESAS

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"17+":137415}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):95@50mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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