品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUM002N02T2L
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
阈值电压:1V@1mA
工作温度:150℃
输入电容:25pF@10V
漏源电压:20V
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,2.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":76000}
规格型号(MPN):5LN01SS-TL-E
功率:150mW
栅极电荷:1.57nC@10V
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:50V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
输入电容:6.6pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C002UNTCL
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
阈值电压:1V@1mA
工作温度:150℃
输入电容:25pF@10V
导通电阻:1.2Ω@100mA,2.5V
漏源电压:20V
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSM002N06T2L
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
阈值电压:2.3V@1mA
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:15pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUM002N02T2L
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
阈值电压:1V@1mA
工作温度:150℃
输入电容:25pF@10V
漏源电压:20V
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,2.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUE002N02TL
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
阈值电压:1V@1mA
工作温度:150℃
输入电容:25pF@10V
漏源电压:20V
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,2.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUM001L02T2CL
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
输入电容:7.1pF@10V
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
导通电阻:3.5Ω@100mA,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUM001L02T2CL
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@100mA,4.5V
连续漏极电流:100mA
输入电容:7.1pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3541T2L
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3019TL
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
输入电容:26pF@10V
工作温度:150℃
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
类型:N沟道
阈值电压:800mV@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1919
规格型号(MPN):RUM001L02T2CL
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
输入电容:7.1pF@10V
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
导通电阻:3.5Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C002UNTCL
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
阈值电压:1V@1mA
工作温度:150℃
输入电容:25pF@10V
导通电阻:1.2Ω@100mA,2.5V
漏源电压:20V
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3019TL
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K44FS,LF
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.5pF@3V
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
导通电阻:4Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15AFU,LF
输入电容:13.5pF@3V
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C002UNTCL
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
阈值电压:1V@1mA
工作温度:150℃
输入电容:25pF@10V
导通电阻:1.2Ω@100mA,2.5V
漏源电压:20V
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: