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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K7T2R
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K33T2R
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K31NTN
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.3V@1mA
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
输入电容：15pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K31NTN
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：15pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N56FE，LM
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：55pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K33T2R
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
连续漏极电流：300mA
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1V@1mA
导通电阻：1Ω@300mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
连续漏极电流：300mA
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1V@1mA
导通电阻：1Ω@300mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K31NTN
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.3V@1mA
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
输入电容：15pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K33T2R
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIX3134K-TP
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：380mΩ@650mA，4.5V
工作温度：150℃
连续漏极电流：750mA
输入电容：120pF@16V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
阈值电压：1.1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K31NTN
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.3V@1mA
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
输入电容：15pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K31NTN
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：15pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIX3134K-TP
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：380mΩ@650mA，4.5V
工作温度：150℃
连续漏极电流：750mA
输入电容：120pF@16V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
阈值电压：1.1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K31NTN
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.3V@1mA
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
输入电容：15pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N56FE，LM
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：55pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K31NFHATCN
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：15pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K31T2R
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.3V@1mA
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
输入电容：15pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDW-TP
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：750mA
类型：2N沟道（双）
阈值电压：1.1V@250µA
导通电阻：380mΩ@650mA，4.5V
输入电容：120pF@16V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K31NFHATCN
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.3V@1mA
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
输入电容：15pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K31T2R
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：15pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K6T2R
连续漏极电流：300mA
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1Ω@300mA，4V
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N56FE，LM
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：55pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
