品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:P沟道
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规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
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功率:150mW
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类型:P沟道
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功率:150mW
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类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
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品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
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连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
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工作温度:150℃
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
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ECCN:EAR99
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
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连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
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阈值电压:1V@100µA
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
输入电容:42pF@10V
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:0.2A
类型:P-Channel
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:0.2A
类型:P-Channel
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K7T2CR
工作温度:150℃
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
类型:2N-Channel
导通电阻:1.2Ω@200mA,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L14FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V€110pF@10V
连续漏极电流:800mA€720mA
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:0.2A
类型:P-Channel
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: