采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSK3541FS8T2L
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSK3541FS8T2L
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSK3019FP8TL
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@5V
导通电阻：7Ω@2.5V，1mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：69067}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1958-T1-A
功率：150mW
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：10pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSK3019FP8TL
反向传输电容：4pF@5V
功率：150mW
漏源电压：30V
阈值电压：1.5V@100μA
类型：1个N沟道
输入电容：13pF@5V
导通电阻：7Ω@2.5V，1mA
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
连续漏极电流：100mA
输入电容：7.1pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：69067}
规格型号(MPN)：2SK1958-T1-A
功率：150mW
输入电容：10pF@3V
漏源电压：16V
类型：1个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
连续漏极电流：100mA
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：69067}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1958-T1-A
功率：150mW
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：10pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1958-T1-A
功率：150mW
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：10pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1.5V@1μA
输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：20Ω@4V，10mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFU，LF
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
