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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139KDW-TP-ES
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.2nC@4V
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.2nC@4V
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139KDW-TP-ES
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES3139KZ
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139KDW-TP-ES
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES3139KZ
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139KDW-TP-ES
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES3139KZ
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJ3139KDW-ES
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：YJL3139KDW-ES
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJ3139KDW-ES
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：YJL3139KDW-ES
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：450mV@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：450mV@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250μA
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：1个P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：450mV@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250μA
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：1个P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
