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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C002ZPTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
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规格型号(MPN)：RZE002P02TL
工作温度：150℃
功率：150mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
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规格型号(MPN)：RZE002P02TL
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规格型号(MPN)：RZE002P02TL
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包装方式：卷带（TR）
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类型：P沟道
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
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功率：150mW
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：RZE002P02TL
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RU1C002ZPTCL
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功率：150mW
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规格型号(MPN)：RZE002P02TL
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连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
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规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
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功率：150mW
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规格型号(MPN)：RZE002P02TL
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阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：RZE002P02TL
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类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
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功率：150mW
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
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功率：150mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RU1C002ZPTCL
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类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
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规格型号(MPN)：RZE002P02TL
工作温度：150℃
功率：150mW
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
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功率：150mW
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栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C002ZPTCL
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功率：150mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：RZE002P02TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C002ZPTCL
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功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZM002P02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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