采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：2.5W（Ta）
漏源电压：40V
输入电容：3845 pF @ 15 V
栅极电荷：73 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
ECCN：EAR99
连续漏极电流：14.9A（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150°C
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.4V @ 100µA
栅极电荷：7.5 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110 pF @ 20 V
连续漏极电流：12A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：11.6 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：73 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845 pF @ 15 V
连续漏极电流：14.9A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
