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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2E014AJT2CL
功率：400mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2E014AJT2CL
功率：400mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C014BCT2CL
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2E014AJT2CL
功率：400mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C014BCT2CL
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C014BCT2CL
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C014BCT2CL
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2E014AJT2CL
功率：400mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C014BCT2CL
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RV2C014BCT2CL
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C014BCT2CL
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C014BCT2CL
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2E014AJT2CL
功率：400mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C014BCT2CL
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2E014AJT2CL
功率：400mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C014BCT2CL
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
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